近年来，柔性电子技术受到了全球范围科学家们的广泛关注并得到了迅速发展。与传统半导体硅集成工艺不同，柔性电子器件具有独特的优点，如柔韧性与延展性等，已经逐步应用于国防、能源、医疗、信息等诸多领域。多功能氧化物材料由于电荷、自旋、轨道和晶格等之间的强相互作用而具有丰富的物理性能。这些促使人们希望通过一些有效的技术手段实现高性能功能氧化物单晶薄膜的柔性化，不断推进未来柔性电子器件实现更高性能。

近日，西安交通大学贾春林科学家工作室综述了近年来通过外延剥离技术制备自支撑单晶功能氧化物薄膜的最新进展。由于自支撑单晶功能氧化物薄膜挣脱了氧化物基片的物理束缚而表现出较好的机械柔韧性，同时也可以像其它二维纳米材料一样与半导体技术相兼容，从而实现一些高性能的柔性存储器、柔性能量收集器及半导体场效应管等。

上述研究成果以题目“Recent progress on flexible inorganic single-crystalline functional oxide films for advanced electronics”发表在权威期刊Materials Horizons (IF=13.18)上。西安交通大学微电子学院刘明副教授为该文章唯一通讯作者，博士生张永为本文第一作者，参与该工作的还有西安交通大学材料学院的马春蕊副教授和西安电子科技大学微电子学院的陆小力教授。

该研究得到国家自然科学基金重大专项与面上项目、国家“973”项目、博士后基金、国家基础研究发展计划及中央高校基本科研业务费等的支持。

文章链接为：https://pubs.rsc.org/en/content/articlehtml/2019/mh/c8mh01598h