由中国工程院化工、冶金与材料工程学部、中国材料研究学会、材料学术联盟共同主办，西安交通大学和南京工业大学共同承办的“2016新材料国际发展趋势高层论坛 ”于2016年9月24—26日在南京国际青年文化中心如期举行。此次会议共邀请了17位中国工程院院士，15位中国科学院院士，11位海外院士到会参加；约320位材料各领域的学者进行专题报告，1200余人注册参加此次会议，参会人数创下新高。大会主席周廉院士，国家自然科学基金委副主任高瑞萍，江苏省科技厅蒋厅长，西安交通大学副校长王铁军和南京工业大学校长黄维分别进行了大会开幕致词。
周廉院士指出在“十三五规划”和“2025”双政策的指导下，新材料面临着空前的发展机遇。此次大会旨在以新材料为纲，以知识交流为基础，以新材料趋势为发展平台，共同构建新材料发展的蓝图。周廉院士总结了大会自举办六届以来的发展规模，和对材料行业发展做出的贡献，并对新材料的发展寄予厚望。
国家自然科学基金委高瑞萍副主任指出，2016年是我国新材料发展的重点年份；肯定了我国这些年在新材料领域取得的巨大成绩，但是也明确说明了我国新材料领域的不足；我国新材料今后的发展需要立足于材料基础科学和原始创新。
此外，江苏省科技厅蒋厅长，西安交通大学副校长王铁军和南京工业大学校长黄维也对此次大会的召开给予了充分的肯定，他们还分别介绍了江苏省的新材料发展状况，西安交通大学的新材料教育与科研发展状况和南京工业大学的材料发展成就。总之，这次大会是新材料领域的高端聚会，为新材料的未来发展方向提供了指导。
开幕式结束后，分别进行了纳米材料、先进无机材料、能源材料、电子材料、材料界面与表征和材料教育等六个方面的大会主题报告，和包括“纳米材料”、“光催化”、“材料基因组”、“电子信息材料”、“智能材料”、“能源材料”、“先进无机材料”、“复合材料”、“3D打印”、“材料界面与表征”、“有机光电材料”和“优秀青年科学家”等12个分论坛报告。
我校金属材料强度国家重点实验室孙军教授作为大会秘书长参加了大会，并与单智伟教授等分别主持了优秀青年科学家论坛报告会。工作室贾春林教授应邀做大会主题报告。任晓兵教授和单智伟教授应邀作为相应分论坛主席主持了“智能材料”和“材料界面与表征”两个分论坛报告会。任晓兵教授、单智伟教授、王云志教授和丁向东教授分别作了相应分论坛邀请报告。此外，我校逾百名教师和研究生参加了此次盛会。
附贾春林教授报告简介：
报告题目： High-Resolution Transmission Electron Microscopy of Interfaces in Oxides
摘要:The morphology and atomic details of the interfaces in materials have significant influence on the physical, chemical and mechanical properties of materials. In particular, the interfaces and domain walls (or boundaries) of functional oxides exhibit novel properties differing from the bulk matrix, such as conductivity, ferromagnetism and photovoltaic properties. These novel properties have attracted considerable interest of research on the underlying physics with respect to structural origin and their potential application in nano-electronics. The successful development of modern aberration-corrected electron microscopes and various relevant techniques of imaging and analysis provide scientists great opportunities for accessing to studying, on a sub-angstrom scale, the structure and properties of interfaces. Moreover, advanced thin film technologies allow controlling and tailoring interfaces in film systems for tuning physical properties.
In the presentation, we show examples for application of mordern aberration-corrected transmission electron microscopy to characterizing atomic details of interfaces in functional oxides. Employing the negative CS imaging technique, interfaces of LaAlO3/SrTiO3 and domain walls in ferroelectric Pb(ZrTi)O3 thin films and multiferroic BiFeO3 single crystal are studied. We measure with picometre precision the positions and relative displacements of the atoms across interfaces and domain walls. The precisely measured displacements of atoms are used to determine the modulus and the direction of the electric dipole moments and magnetization unit cell by unit cell.
